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我们研究了点缺陷和Hg杂质在碘化抗氢化氢的电子特性中的影响(BI 4 I 4)。在不同温度下退火后我们的传输测量结果表明,BI 4 I 4的电阻率取决于其热史,这表明天然缺陷和杂质的形成可以影响电阻率的温度依赖性。我们的密度功能理论计算表明,二抗和碘反异地和二氮位置空位是主要的天然点缺陷。我们发现,二晶岩在频带边缘引入谐振状态,而碘反异地和二晶的空缺分别导致n型和p型bi 4 i 4 i 4。HG杂质可能在BI替代部位发现,从而产生Bi 4 I 4的P型掺杂。总体而言,我们的发现表明,由于载体的数量和类型的修改以及相关的缺陷(杂质)散射,因此本地点缺陷和杂质的存在可以显着改变电子特性,因此会影响BI 4 I 4的电阻率曲线。我们的结果表明,追求准量子量子材料的电子性质进行微调的可能路线。

arxiv:2410.18305v1 [cond-mat.mtrl-sci] 2024年10月23日

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